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流式細胞儀

流式細胞儀通過激光照射高速流動的細胞群,并在微秒級時間內捕捉微弱的熒光與散射光脈沖。針對其核心光電倍增管(PMT)或硅光電倍增管(SiPM)對電源紋波的極端敏感性,以及高速數據采集卡在處理多通道信號時面臨的靜電(ESD)風險,我們提供了超低噪聲濾波與高帶寬低電容防護方案。這些技術有效降低了背景基線噪聲,防止了高速脈沖信號的畸變,確保了設備對稀有細胞群體檢測的超高靈敏度與分類準確性。

應用框圖
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流式細胞儀應用框圖

產品

技術文檔

Gdt 氣體放電管 (2)

2R600L-5.5×6

-- 2R600L-5.5×6:雙電極、600V、5kA、≤1pF 氣體放電管 (GDT),用于通信與電源保護

2R600L-8×6

-- 雙電極、600V、10kA、≤1pF 氣體放電管 (GDT),用于通信與電源保護

Mov 壓敏電阻 (2)

Gdt 氣體放電管 (2)

2R090L-5.5×6

-- 雙電極、90V、5kA、≤1pF 氣體放電管 (GDT),用于通信與電源保護

2R090L-8×6

-- 雙電極、90V、10kA、≤1pF 氣體放電管 (GDT),用于通信與電源保護

Mov 壓敏電阻 (1)

Tvs 瞬態抑制二極管 (2)

Common mode inductor 共模濾波電感 (1)

Esd 靜電保護元件 (1)

ESD0524P

-- ESD0524P靜電保護二極管,DFN2510,標稱關斷電壓5.0V,4通道/4路信號,經典物料

Esd 靜電保護元件 (2)

ESD5V0D3B

-- ESD5V0D3B 靜電保護二極管,SOD323,標稱關斷電壓 5.0V,雙向 保護設計,普通電容(無特殊低電容設計),標準工藝/單通道,適用于 對電容不敏感的低速信號 的靜電防護。

ESD3V3D8B

-- ESD3V3D8B 靜電保護二極管,DFN1006/SOD882,標稱關斷電壓 3.3V,雙向 保護設計,普通電容(無特殊低電容設計),標準工藝/單通道,適用于 對電容不敏感的低速信號 的靜電防護。

Tss 半導體放電管 (2)

P0220SCL

-- P0220SCL 半導體放電管 TSS,SMB(Do-214AA)封裝,動作電壓22V;100A/10/1000us波形,浪涌泄放效果優、過壓防護響應快

P3100SCL

-- P3100SCL 半導體放電管 TSS,SMB(Do-214AA)封裝,動作電壓310V;100A/10/1000us波形,浪涌泄放效果優、過壓防護響應快

Tss 半導體放電管 (1)

P0080SCL

-- P0080SCL 半導體放電管 TSS,SMB(Do-214AA)封裝,動作電壓8V;100A/10/1000us波形,浪涌泄放效果優、過壓防護響應快

Tvs 瞬態抑制二極管 (1)

SMF6.5CA

-- SMF6.5CA, SOD123FL 貼片 TVS 瞬態抑制二極管;6.5V工作峰值電壓;200W瞬間峰值功率;用于工業6.5V電路雙向瞬態浪涌與靜電防護

Esd 靜電保護元件 (1)

Esd 靜電保護元件 (2)

ESDLC5V0D8B

-- ESDLC5V0D8B 靜電保護二極管,DFN1006/SOD882,標稱關斷電壓 5.0V,雙向 保護設計,低電容(1–10 pF),標準工藝/單通道,適用于 一般高速信號(如USB 2.0) 的靜電防護。

ESD0524P

-- ESD0524P靜電保護二極管,DFN2510,標稱關斷電壓5.0V,4通道/4路信號,經典物料

Tvs 瞬態抑制二極管 (1)

Common mode inductor 共模濾波電感 (1)

Gdt 氣體放電管 (3)

3R090L-5×7.6

-- 90V、≤1pF、5kA 三電極氣體放電管,專為通信線路和數據接口提供高能量浪涌與雷擊防護,適合對低電容和高可靠性有要求的應用場景。

3R090L-6×8

-- 90V、≤1pF、10kA 三電極氣體放電管(GDT),適用于通信線路、寬帶設備及低壓信號接口的浪涌、雷擊和瞬態過電壓保護

3R090L-8×10

-- 90V、≤1pF、10kA 三電極氣體放電管(GDT),適用于通信線路、寬帶設備及低壓信號接口的浪涌、雷擊和瞬態過電壓保護

Esd 靜電保護元件 (1)

Esd 靜電保護元件 (1)

ESD0524P

-- ESD0524P靜電保護二極管,DFN2510,標稱關斷電壓5.0V,4通道/4路信號,經典物料